分析高(gāo)純度化學(xué)試劑及其歸類

純淨度遠遠高(gāo)于優級純的(de)化學(xué)試劑叫做(zuò)高(gāo)純度實驗試劑。是在通用性實驗試劑基本上發展壯大下去(qù)的(de)，是為(wèi)了更好地(dì)專業的(de)應用目地(dì)而用獨特方式生産制造的(de)純淨度高(gāo)的(de)實驗試劑。高(gāo)純度實驗試劑操縱的(de)是殘渣項成分，标準實驗試劑操縱的(de)是主成分，标準實驗試劑可(kě)以用規範溶液的(de)配制，但高(gāo)純度實驗試劑不可(kě)以用以規範溶液的(de)配制（化合物金屬氧化物以外）。
現階段在國(guó)際性上也無統一(yī)的(de)确立規格型号，在我(wǒ)國(guó)除對極少數商(shāng)品制訂了行(xíng)業标準外，絕大多數高(gāo)純度實驗試劑的(de)檢測标準還很不統一(yī)，在名字上也是有(yǒu)高(gāo)純度、超純、特純、光譜儀純、電子(zǐ)器件純等不一(yī)樣稱呼。一(yī)般以9來表明商(shāng)品的(de)純淨度。故在規格型号欄招标以2個9、3個9、4個9依此類推，依據這一(yī)标準可(kě)将高(gāo)純度化學(xué)物質分成：
殘渣總成分不得超過1.5×10-2%，其純淨度為(wèi)3.5個9（99.95）縮寫為(wèi)3.5N
殘渣總成分不得超過1.0×10-2%，其純淨度為(wèi)4個9（99.99）縮寫為(wèi)4.0N
殘渣總成分不得超過1.0×10-3%，其純淨度為(wèi)5個9（99.999）縮寫為(wèi)5N
對高(gāo)純度實驗試劑或高(gāo)純度原素純淨度或殘渣成分的(de)檢測，一(yī)般常見原子(zǐ)吸收光譜、分子(zǐ)光譜分析法、色譜儀、質譜分析色度化學(xué)成分分析等方式 開展測量。其陽離(lí)子(zǐ)規格型号正常情況下參考實驗試劑優等品規範，沒有(yǒu)優等品規範的(de)商(shāng)品由制造企業自(zì)主制訂。依據應用領域不一(yī)樣，把高(gāo)純度實驗試劑又分為(wèi)幾類：
一(yī)般離(lí)純化學(xué)試劑：
就是指一(yī)些高(gāo)純度化合物金屬材料、金屬氧化物、金屬材料酸鹽等，常見于核能工業生産原材料、電子(zǐ)工業材料、半導體材料基本資料等，金屬單質的(de)金屬氧化物、用于配置标液和(hé)做(zuò)為(wèi)标準物質，此類實驗試劑常規定成分在4N-6N中間。
潔淨電子(zǐ)器件純實驗試劑：
潔淨高(gāo)純度實驗試劑是電子(zǐ)器件（IC）生産制造工序中的(de)專用型化工品，用以矽片清洗、光刻技術、浸蝕工藝流程中。對這類高(gāo)純度實驗試劑中可(kě)溶殘渣和(hé)固體顆粒規定十分嚴苛，為(wèi)融入IC處理(lǐ)速度不斷提升的(de)要求，國(guó)際性上半導體材料行(xíng)業協會（SemiconductorIndustryAssociation）近期發布Semic7(合适0.8-1.2μm生産工藝)和(hé)Semic8(合适于0.2-0.6μm生産工藝)等級的(de)實驗試劑檢測标準。在我(wǒ)國(guó)在原來MOS級、BV-I級實驗試劑的(de)基本上，又制訂出BV-II級和(hé)BV-III級實驗試劑規範（等同于Semic7）。